Пятница, 15.12.2017, 01:39
Привет, Гость | RSS | Главная | Регистрация | Вход | Контакты| Личные сообщения ()

Аномалии и феномены [824]Астрология,предсказания [850]Вокруг света [413]Гипотезы и версии [1185]Загадки истории [1422]
Здоровье,человек [894]Интересные факты [1526]Космос,астрономия [665]Люди и судьбы [397]Наука и технологии [300]
Новости и жизнь общества [992]Паранормальное [684]Практическая магия [432]Прогнозы ученых, исследования [307]Самопознание,психология [889]
Спорт и йога [191]Стихия,климат,экология [879]Тайны религий [280]Теории заговора,тайны планеты [433]Уфология и НЛО [431]
Фильмы и видео [1878]Фотоподборки и смешные кадры [591]Фэн-шуй [129]Цитаты и мысли [194]Частное мнение [199]

НАША ПЛАНЕТАВТОРАЯ ПЛАНЕТАИЗ ЖИЗНИ.РУФОРУМГЛАВНАЯ ПРАВИЛА
Меню сайта


Загрузка...

Календарь

Статистика

Онлайн всего: 21
Пользователей: 20
Сейчас комментируют: 1

Яндекс цитирования
Главная » 2016 » Август » 29 » Новосибирские физики разработали флэшку будущего » ДОБАВИТЬ МАТЕРИАЛ
22:20
Новосибирские физики разработали флэшку будущего


Специалисты из новосибирского Института физики полупроводников им. Ржанова (ИФП) СО РАН разработали технологию создания флэшки будущего, которая будет работать в 2-3 раза быстрее современных аналогов и дольше сохранять информацию.

Как сообщает официальное издание СО РАН "Наука в Сибири", это стало возможным благодаря применению мультиграфена.

Речь идет о нескольких слоях графена - одного из самых перспективных материалов, который можно представить как плоскость графита, толщиной в один атом углерода. Этому соединению ученые пророчат большое будущее как в нано технологиях, в электронике и других областях. "Это тема модная как с точки зрения фундаментальной науки, так и прикладной", - передает "Наука в Сибири" слова старшего научного сотрудника ИФП СО РАН, кандидата физико-математических наук Юрия Новикова.

Новосибирские физики рассматривают мультиграфен и в качестве запоминающей среды для хранения электрического заряда, что может стать основой для флэшек нового поколения. Помимо мультиграфена, необходимыми компонентами таких флэш-носителей являются туннельный (из оксида кремния) и блокирующий слои. Эффективность же запоминающего устройства от величины работы выхода запоминающей среды - энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества и в этом плане многослойный графен уникален.

Одним из его важнейших свойств является большая работа выхода для электронов, составляющая около пять электронвольт. Из-за этого на границе мультиграфена и оксида кремния величина потенциального барьера увеличена и составляет примерно четыре электронвольт, именно за этой характеристикой новосибирцы усмотрели будущее мультиграфена в качестве устройства флэш-памяти.

- Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд, - уверен Юрий Новиков.

Использование мультиграфена, по мнению ученых, даст возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти, например, использовать более тонкий туннельный слой. В сегодняшних флэшках, основным компонентом которых является кремний, величина потенциального барьера на границе его с оксидом кремния составляет только 3,1 электронвольт. Поэтому требуются более толстые туннельный и блокирующий слои, а это в свою очередь неизбежно приводит к уменьшению быстродействия.

Вот только говорить о промышленном производстве мультиграфеновых флэш-носителей, мягко говоря, преждевременно.

- На данный момент мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Конечно, опытные образцы существуют, и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти миллиардов долларов, - пояснят Юрий Новиков.

Впрочем, если говорить о такого рода запоминающих устройствах, не за одним мультиграфеном видят будущие новосибирские специалисты. Так в качестве запоминающей среды может стать нитрида кремния, обладающий особыми "ловушками" для заряда. Это позволит избежать проблем некачественных или поврежденных туннельного и блокирующего слоев. Наличие пор может привести к потере информации независимо от того, кремний является основой флэшки, или мультиграфен. Ловушки же позволят сохранять информацию.

Кроме этого, ведется исследование различных материалов и для внедрения их в технологии резистивной памяти. В таких устройствах информация сохраняется не электрическим зарядом, а за счет изменения сопротивления материала и в отсутствие питания. Быстродействие таких устройств, по прогнозам ученых, сравнимо с функциональностью оперативной памяти. При этом число циклов перезаписи будет значительно больше, чем во флеш-памяти, основанной на инжекции и хранении электрического заряда, а потребление энергии напротив снизится.

Загрузка...






Мнение администрации сайта и Ваше мнение, может частично или полностью не совпадать с мнениями авторов публикаций. Администрация не несет ответственности за достоверность и содержание материалов.
Категория: Новости и жизнь общества | Источник: http://planetatain.ru/| Просмотров: 358 | Добавил: Pantera| | Теги: флэшку, будущего, разработали, физики, новосибирские | Рейтинг: 2.6/5

По этой теме смотрите:

В КОММЕНТАРИЯХ НЕДОПУСТИМА КРИТИКА САЙТА,АДМИНИСТРАТОРОВ,МОДЕРАТОРОВ и ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ,КОТОРЫЕ ГОТОВЯТ ДЛЯ ВАС НОВОСТИ! УВАЖАЙТЕ ЧУЖОЙ ТРУД!
Всего комментариев: 0

Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Загрузка...
Форма входа
Логин:
Пароль:
Поиск


Беседка
Онлайн всего: 21
Пользователей: 20
Сейчас комментируют: 1

Загрузка...

Последние комментарии












На ФОРУМЕ
StepanSmilm

Криста

Криста

К теме: Он и Она..

Криста

Криста

Криста

yurcheviwan85

yurcheviwan85

yurcheviwan85

yurcheviwan85


Загрузка...